優(yōu)勢產(chǎn)品:燒結(jié)銀、無壓燒結(jié)銀,有壓燒結(jié)銀,半燒結(jié)納米銀膏、納米銀墨水、導電膠、導電銀漿、導電油墨、銀/氯化銀、納米銀漿、可拉伸銀漿、燒結(jié)銀膜、納米焊料鍵合材料、UV銀漿、光刻銀漿、UV膠、導熱絕緣膠、DTS預(yù)燒結(jié)銀焊片、導電銀膜、銀玻璃膠粘劑,納米銀膠、納米銀膏、可焊接低溫銀漿、高導熱銀膠、導電膠等產(chǎn)品,擁有完善的納米顆粒技術(shù)平臺,金屬技術(shù)平臺、樹脂合成技術(shù)平臺、同位合成技術(shù)平臺,粘結(jié)技術(shù)平臺等。
燒結(jié)銀膏知識50問
以下是善仁新材總結(jié)的關(guān)于燒結(jié)銀膏的50個核心知識點,涵蓋定義、原理、工藝、應(yīng)用及發(fā)展趨勢等方面,結(jié)合較新技術(shù)動態(tài)總結(jié)而成,希望對大家選購燒結(jié)銀有幫助:
一、 基礎(chǔ)概念
1定義:燒結(jié)銀膏是以納米銀粉為主體,結(jié)合有機載體和添加劑形成的膏狀材料,通過燒結(jié)形成高導電/導熱連接層。
2核心成分:納米銀粉、有機載體、添加劑。
3分類:
有壓燒結(jié)銀膏AS9385:需加壓(5-20 MPa)提升致密度,適用于高可靠性場景(如SiC芯片封裝)。
無壓燒結(jié)銀膏AS9335:無需加壓,燒結(jié)溫度更低(150-200℃),適合精密電子元件。
4 燒結(jié)機制:納米銀顆粒通過固態(tài)擴散(表面能驅(qū)動)形成多孔銀層,孔隙率約2%-5%。
5 與傳統(tǒng)焊料對比:
A導熱性:燒結(jié)銀膏AS9376(200-300 W/m·K)是Sn-Ag-Cu焊料(50 W/m·K)的4-5倍。
B熔點:銀熔點961℃,遠高于傳統(tǒng)焊料(如Sn-Ag-Cu約220℃)。
二、 材料與工藝
6 銀粉特性:高純度(>99.9%)、球形或類球形結(jié)構(gòu),粒徑分布影響燒結(jié)致密度。
7 有機載體作用:調(diào)節(jié)銀膏流動性,燒結(jié)時揮發(fā)形成多孔結(jié)構(gòu)。
8 燒結(jié)溫度范圍:
A無壓燒結(jié):130-200℃(如AS9338)。
B有壓燒結(jié):200-250℃(如AS9385)。
9 關(guān)鍵工藝參數(shù):
A燒結(jié)壓力:有壓燒結(jié)需5-15 MPa,無壓燒結(jié)無需加壓。
B升溫速率:通常1-5℃/min,避免熱應(yīng)力導致裂紋。
10 燒結(jié)氣氛:氮氣保護(防氧化)或空氣(適用于裸銅或者銀基板)。
三、 性能優(yōu)勢
11高導電性:燒結(jié)后電導率接近純銀(>10? S/m)。
12高熱導率:熱導率240 W/m·K,是傳統(tǒng)焊料的4倍,適合高功率器件散熱。
13可靠性:
A 剪切強度達45MPa以上,抗電遷移性能優(yōu)異。
B 熱循環(huán)壽命(-55-175℃)超1000次。
14 環(huán)保性:無鉛無鹵素,符合RoHS標準。
15 低溫兼容性:支持150℃燒結(jié),避免損傷GaN/SiC等寬禁帶半導體。
四、 應(yīng)用領(lǐng)域
16 功率電子:SiC/GaN模塊封裝(芯片-基板有壓燒結(jié)銀AS9385、基板-散熱器連接有壓燒結(jié)銀AS9387)。
17新能源汽車:電池管理系統(tǒng)(BMS)、電驅(qū)系統(tǒng)散熱。
18 5G通信:射頻器件封裝(降低信號損耗20%)AS9335。
19 光伏逆變器:提升熱管理效率,延長器件壽命。
20 航空航天:耐高溫、抗輻射封裝方案。
五、 工藝流程
21制備步驟:
燒結(jié)銀膏→印刷/涂布→預(yù)烘(120-150℃)→貼片→燒結(jié)。
22印刷工藝:鋼網(wǎng)印刷(厚度控制±10%),需優(yōu)化脫模速度(1 mm/s)。
23燒結(jié)階段:
AS9385有壓燒結(jié)銀:預(yù)壓階段(150℃加壓0.5-1 MPa)→本壓階段(220-280℃加壓10-30 MPa)。
24后處理:自然降溫至室溫,避免熱應(yīng)力開裂。
六、 技術(shù)挑戰(zhàn)
25孔隙率控制:多孔結(jié)構(gòu)影響導電/導熱性能,需優(yōu)化燒結(jié)參數(shù)(推薦燒結(jié)溫度高可以部門避免)。
26芯片破碎風險:高壓燒結(jié)(>15 MPa)可能導致芯片損傷(推薦無壓燒結(jié)銀可以避免)。
27大面積互連:模塊與散熱器大面積燒結(jié)的均勻性難題(推薦無壓燒結(jié)銀AS9335X1)。
28成本控制:納米銀粉價格高,需推進國產(chǎn)化替代(SHAREX已經(jīng)實現(xiàn))。
七、 創(chuàng)新方向
29低溫燒結(jié)技術(shù):開發(fā)200℃以下燒結(jié)工藝(如納米銀墨水)。
30 壓燒結(jié)優(yōu)化:降低輔助壓力至1-5 MPa,提升良率。
31銅燒結(jié)技術(shù):替代銀燒結(jié),降低成本(當前處于研發(fā)階段)。
32柔性基材適配:開發(fā)耐彎折銀膏(AS6776),用于可穿戴設(shè)備。
八、 測試與標準
33性能測試:
導電性:四探針法測電阻率。
熱導率:激光閃射法。
機械強度:剪切強度測試(ASTM標準)。
34可靠性驗證:熱循環(huán)(-55-175℃)、濕度敏感性測試(85℃/85%RH)。
九、 市場趨勢
35市場規(guī)模:2025年全球燒結(jié)銀膏市場預(yù)計超10億美元,年增長率15%。
36國產(chǎn)替代:國內(nèi)企業(yè)加速突破納米銀粉制備技術(shù)(如善仁新材)。
37應(yīng)用擴展:從功率電子向生物醫(yī)療(植入式設(shè)備)延伸。
十、 典型案例
38 SiC模塊封裝:燒結(jié)銀連接層將結(jié)溫從150℃提升至200℃以上,提升效率。
39 5G射頻模塊:降低信號傳輸損耗20%,**高頻穩(wěn)定性。
40 光伏逆變器:燒結(jié)銀膏熱阻降低50%,延長電池壽命20%。
十一、常見問題
41為何需氮氣保護?:防止銀氧化,提升燒結(jié)層致密度。
42燒結(jié)后空洞如何處理?:優(yōu)化銀粉分散性,增加預(yù)壓壓力。
43 銀膏儲存條件?:-20℃冷藏,保質(zhì)期6個月。
十二、設(shè)備與工藝
44 關(guān)鍵設(shè)備:燒結(jié)爐(控溫精度±1℃)、印刷機(精度±5%)。
45工藝集成:與芯片貼片機、鍵合機形成自動化產(chǎn)線。
十三、未來展望
46 3D封裝應(yīng)用:實現(xiàn)芯片堆疊的高密度互連。
47智能材料結(jié)合:集成溫度敏感元件,實現(xiàn)自修復(fù)功能。
48綠色制造:開發(fā)水基溶劑銀膏,減少VOC排放。
十四、行業(yè)動態(tài)
49技術(shù)合作:善仁新材與頭部客戶合作開發(fā)大面積燒結(jié)銀AS9335X1方案。
50標準制定:善仁新材正牽頭在和相關(guān)部門制定燒結(jié)銀膏國際標準。
以上內(nèi)容綜合了燒結(jié)銀膏的核心技術(shù)要點及行業(yè)進展,如需更詳細的技術(shù)參數(shù)或應(yīng)用案例,可進一步來電和善仁新材探討具體方向。
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